GUC 創(chuàng)意電子宣布全球首款 HBM4 IP 成功流片，采用臺積電最先進 N3P 制程

IT之家 4 月 2 日消息，臺積電持股超 1/3 的臺灣地區(qū)芯片服務企業(yè) GUC 創(chuàng)意電子今日宣布，其成功利用臺積電最先進 N3P 制程和 CoWoS-R 先進封裝完成全球首款 HBM4 IP（IT之家注：包含控制器和 PHY 物理層）的流片。

創(chuàng)意電子的 HBM4 IP 支持高達 12Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。相較于 HBM PHY，流片成功的 HBM4 PHY 實現(xiàn)了 2.5 倍的帶寬提升，并將功耗效率提升 1.5 倍，面積效率提升 2 倍，PPA 提升顯著。

創(chuàng)意電子表示該企業(yè)通過創(chuàng)新的中介層布局設計，優(yōu)化了 HBM4 IP 信號完整性與電源完整性兩方面的表現(xiàn)，確保 HBM4 在各類 CoWoS 技術下皆能穩(wěn)定運行于高速模式。

創(chuàng)意電子的 HBM4 IP 還整合了由以色列 proteanTecs 提供的互聯(lián)監(jiān)測電路，可提供 HBM 聯(lián)機信號的可觀測性與電氣特性分析，進一步提升終端產品的實際運行能效與可靠度。

創(chuàng)意電子總經理戴尚義表示：

我們很自豪成為全球首家成功流片 12Gbps HBM4 控制器與 PHY IP 的公司。我們將持續(xù)致力于提供業(yè)界領先的 2.5D / 3D IP 與服務。通過整合 HBM4、UCIe-A 與 UCIe-3D IP，我們?yōu)榘雽w產業(yè)提供全面性的解決方案，以滿足市場不斷演進的需求。