三星預計今年下半年開發出基于 1c 工藝的 LPDDR6 內存，并向高通等公司供貨
IT之家 6 月 6 日消息，據 BusinessPost，長鑫存儲在智能手機、IT 設備、機器人、自動駕駛汽車等領域應用的 LPDDR 技術上已逼近韓國水平，并已開始著手開發下一代 LPDDR6 技術。
為了不被輕易趕超，三星電子 DS 部門副董事長全永鉉預計將在今年下半年通過“1c DRAM”工藝開發出下一代“LPDDR6”內存并量產，計劃向高通等科技巨頭供貨。
半導體行業認為，考慮到當前開發速度，長鑫存儲最早可能在 2026 年實現 LPDDR6 量產（已于 2023 年底實現 LPDDR5 商用），與三星電子的量產時間相差不足一年。
按照 DRAM 工藝的發展順序：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）。隨著每一代的迭代，線寬都會變得更細，從而提高性能和能效。
SamMobile 此前報道稱，高通預計將在其下一代筆記本電腦[IT江湖] SoC“驍龍 X Elite 2”中采用 LPDDR6 內存，而該芯片預計將于今年 9 月 23 日的驍龍峰會首發亮相，IT之家后續將保持關注。
BusinessPost 表示，長鑫存儲已宣布在 2026 年前逐步停止生產 DDR4 DRAM 并轉向 DDR5，其目標是在今年年底前將月產量提高到 30 萬片晶圓（約為三星電子 2024 年月產量的 45%）。
《電子時報》（DigiTimes）預計，到 2025 年底，DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR5 將占長鑫存儲 DRAM 總產量的 60% 左右。
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來源:IT之家
