HBM4 時(shí)代內(nèi)存巨頭加速混合鍵合技術(shù)導(dǎo)入，產(chǎn)品最快明年亮相

IT之家 5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》在當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日的報(bào)道中表示，兩大韓系 DRAM 內(nèi)存原廠三星電子和 SK 海力士都正在考慮將混合鍵合技術(shù)引入下一代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4 中。

消息人士透露，三星電子預(yù)計(jì)最早將于明年的 HBM4 內(nèi)存中采用混合鍵合，而 SK 海力士可能會(huì)在稍晚的 HBM4E 中導(dǎo)入；美光和其它企業(yè)則計(jì)劃考慮導(dǎo)入有凸塊鍵合的迭代版本：無(wú)助焊劑鍵合。

相較于現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存使用的有凸塊鍵合，無(wú)凸塊的混合鍵合有利于降低 HBM 內(nèi)存堆棧的層高，支持更多堆疊層數(shù)，同時(shí)其也具備電氣性能上的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)更出色的傳輸速率。

IT之家注意到，半導(dǎo)體設(shè)備廠商 Besi 在其今年 4 月公布的年報(bào)文件中表示，采用混合鍵合技術(shù)的 HBM 內(nèi)存雖然會(huì)較此前預(yù)期晚一年，但仍會(huì)在 2026 年以 16Hi HBM4 (E) 的形式面世。