消息稱三星電子 3nm、2nm 良率分別超 60%、40%，正與外部客戶展開性能評估

IT之家 5 月 13 日消息，韓媒《朝鮮日報》當?shù)貢r間今日報道稱，三星電子基于 GAA 晶體管結構的 3nm 和 2nm 節(jié)點良率分別超過了 60% 和 40%，在工藝良率有起色的背景下三星正努力爭奪先進制程訂單。

三星電子雖然在業(yè)界率先導入了 GAA 技術，但其兩大 GAA 節(jié)點 3nm 和 2nm 持續(xù)面臨性能和良率兩方面的問題，鮮有外部客戶下單。如果 3nm 的良率確實已在測試芯片中達到了 60%，那對三星而言無疑是個重大利好，顯示該制程距離大規(guī)模量產更近了一步。

對于 2nm 制程，韓媒報道援引行業(yè)消息稱，三星晶圓代工預計將很快進入英偉達 GPU 和高通移動端 AP（IT之家注：應用處理器）項目對 2nm 工藝性能評估的最后階段。

此前有消息傳出，明年下半年的三星 Galaxy Z Fold8 / Filp8 折疊屏手機有望搭載三星自家以 2nm 制程代工的高通驍龍 8 Elite Gen 2 處理器。