意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

IT之家 4 月 2 日消息，意法半導體與英諾賽科在 3 月 31 日共同宣布已簽署一項氮化鎵 (GaN) 技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。

根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃，并在未來幾年內(nèi)共同推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的光明前景。

協(xié)議還約定，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓，實現(xiàn)產(chǎn)能互補。

兩家企業(yè)的共同的目標是依托這種靈活的供應(yīng)鏈布局，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場供應(yīng)能力，提升供應(yīng)鏈韌性，從而滿足更廣泛的應(yīng)用場景下的各種客戶需求。

意法半導體 APMS 總裁 Marco Cassis 表示：

意法半導體與英諾賽科均為 IDM（IT之家注：垂直整合器件制造商），此次合作將最大化發(fā)揮 IDM 這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶創(chuàng)造價值。

一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合；另一方面，意法半導體也將通過靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶。

英諾賽科董事長兼創(chuàng)始人駱薇薇表示：

氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。英諾賽科率先實現(xiàn) 8 英寸（200mm）硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計出貨超 10 億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場。

我們對于與意法半導體達成戰(zhàn)略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰(zhàn)略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術(shù)普及，雙方團隊將共同致力于開發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)。