消息稱 I/O 翻倍影響 HBM4 DRAM Die 面積，初期 12Hi 堆棧超 600 美元

IT之家 6 月 10 日消息，韓媒 the bell 當地時間昨日報道稱，由于 HBM4 內存的 I/O 數量較此前產品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM 上沿用 1b 工藝的 SK 海力士和美光不得不擴大 DRAM Die 的面積，降低了單晶圓上可生產的 HBM DRAM Die 數量。

不過對于三星電子而言，由于其 HBM4 內存的 DRAM Die 工藝將從前代的 1a nm 升級兩代到 1c nm，預計單晶圓 DRAM Die 產量仍將有所提升。但考慮到工藝復雜度的變化，三星的 HBM4 實際成本也將增加。

業界消息預計，HBM4 內存的早期規格 12Hi 36GB 的市場售價將超過 600 美元（IT之家注：現匯率約合 4311 元人民幣），形成較同容量 HBM3E 的明顯溢價。