消息稱美光加速 HBM 內(nèi)存 TC 鍵合設(shè)備采購(gòu)，推動(dòng) HBM3E 擴(kuò)產(chǎn)

IT之家 4 月 14 日消息，《韓聯(lián)社》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，美光正在加速采購(gòu)韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商韓美半導(dǎo)體（HANMI Semiconductor）所產(chǎn) TC 鍵合設(shè)備，為 12Hi HBM3E 的擴(kuò)展建立設(shè)備基礎(chǔ)。

報(bào)道表示，美光去年對(duì)韓美半導(dǎo)體 TC 鍵合機(jī)的采購(gòu)量約為 30~40 臺(tái)，而今年上半年的訂單規(guī)模就超過(guò)了這一水平。據(jù)悉另一家 TC 鍵合設(shè)備供應(yīng)商日本新川 SHINKAWA 的機(jī)臺(tái)僅能滿足 8Hi 鍵合的需求，唯有韓美半導(dǎo)體的產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn) 12Hi 的 TC 鍵合。

另一家韓媒 ChosunBiz 的報(bào)道指出，美光有望到今年底將 HBM 內(nèi)存的產(chǎn)量提升到每月 6 萬(wàn)片晶圓，這接近 HBM 領(lǐng)域龍頭 SK 海力士現(xiàn)有水平的一半，有助于美光實(shí)現(xiàn) HBM 市占齊平整體 DRAM 內(nèi)存的目標(biāo)。

此外，美光計(jì)劃 2026 年在新加坡、日本廣島美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州工廠制造 HBM，美國(guó)紐約州工廠的 HBM 產(chǎn)線也將于 2027 年投運(yùn)。